特許
J-GLOBAL ID：200903075605450100
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-100923
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299624
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 ターンオフ時のスイッチング特性がMOSFET型に近いIGBT型の半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体装置1の裏面と周側面とにコレクタ電極としての機能を持つとともにEQR電極25に接続される導電膜20を形成する。この構成において、エミッタ電極膜18と導電膜20とに電圧を印加すると、P+型層10、N-型層11、Pウェル層12、N+型拡散領域13を介して流れる電流と、EQR電極25、チャネルストッパ領域24、N-型層11、Pウェル層12、N+型拡散領域13とを流れる電流が発生し、MOSFET型に近いIGBT型の半導体装置となる。
請求項（抜粋）：
一方の面にゲート電極およびエミッタ電極を形成してなる半導体装置において、前記半導体装置の前記一方の面の縁辺またはその近傍に形成してなるEQR電極と、前記半導体装置の少なくとも他方の面および周側面にコレクタ電極として形成されるとともに、前記EQR電極と短絡してなる導電膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 655
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 29/78 655 F
, H01L 29/78 655 C
, H01L 29/78 658 F
