特許

J-GLOBAL ID：200903075606558193

半導体製造装置

発明者： 中村 元
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-257945
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045855
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】 経時変化的に長い時間でしか確認出来ないような異常状態を自動で検知し、加えて、通常使用状態において、装置状態、及びユーティリテーの確認を行い経時変化的に進行していくトラブル発生要因を事前に検知し、効率の良い装置運用を行う。【解決手段】 ユーティリテー入力を持つ半導体製造装置において、装置の電源OFF時までの装置状態、各ユーティリテー入力の状態を装置内に記憶する不揮発性の記憶装置を有することを特徴とする半導体製造装置。

請求項（抜粋）：

ユーティリテー入力を持つ半導体製造装置において、装置の電源OFF時までの装置状態、各ユーティリテー入力の状態を装置内に記憶する不揮発性の記憶装置を有することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 516 Z ,  G03F 7/20 521