特許
J-GLOBAL ID：200903075613004292
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-060494
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273281
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 キャパシタ容量の安定したキャパシタを半導体装置内に作り込む方法を提供する。【構成】 半導体基板上の絶縁膜上にポリシリコンよりなるキャパシタの下部電極を形成し、この電極上に誘電体として酸化膜およびシリコン窒化膜を形成し、さらに、上部電極としての不純物を導入したアモルファスシリコン層を堆積し、熱処理により大粒径ポリシリコン層とした後に、シリサイド層を積層してポリサイド構造とした上部電極よりなる半導体装置におけるキャパシタの製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板の絶縁膜上にキャパシタの下部電極を形成する工程と、該下部電極上に誘電体層を形成する工程と、該誘電体層上にアモルファスシリコン層を形成し、このアモルファスシリコン層に導電型不純物を導入する工程と、このアモルファスシリコン層をアニールして大粒径のシリコン層とする工程と、該シリコン層上にシリサイド層を形成する工程を順次行い、前記シリコン層およびシリサイド層とよりなるポリサイド層をキャパシタの上部電極とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
