特許

J-GLOBAL ID：200903075625990470

レジスト塗布現像処理装置

発明者： 上田 一成
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-150418
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044119
出願日： 2000年05月22日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 パーティクルやアルカリ成分等の不純物成分や温度・湿度等の雰囲気変動の処理への影響を効果的に排除することができるレジスト塗布現像処理装置を提供すること。【解決手段】 カセットステーション10、処理ステーション11、およびインターフェイス部12の上方から下方に向けて空気の流れを形成する気流形成機構60,80と、気流形成機構60,80を制御するコントローラ90とを具備し、処理ステーション11にはカセットステーション10およびインターフェイス部12にそれぞれ連通する通風開口56,57を有し、コントローラ90は、処理ステーション11内の圧力がカセットステーション10およびインターフェイス部12内の圧力よりも高くなるように気流形成機構60を制御し、処理ステーション11からカセットステーション10およびインターフェイス部12への空気の流れを形成する。

請求項（抜粋）：

基板にレジスト塗布および現像処理のための各種処理を施す複数の処理ユニットが配置された処理部と、複数枚の基板を収納する基板収納容器を載置可能な載置部を有し、基板収納容器から前記処理部へ基板を搬入するとともに、前記処理部から搬出した基板を基板収納容器に収納する搬入出部と、前記処理部から基板を受け取って露光装置に受け渡し、露光後の基板を露光装置から受け取って前記処理部に受け渡すためのインターフェイス部と、前記搬入出部、処理部、およびインターフェイス部の上方から下方に向けて空気の流れを形成する気流形成手段と、前記気流形成手段を制御する制御手段とを具備し、前記処理部は、前記搬入出部に連通する第1の通風開口と、前記インターフェイス部に連通する第2の通風開口とを有し、前記制御手段は、前記処理部内の圧力が前記搬入出部内およびインターフェイス部内の圧力よりも高くなるように前記気流形成手段を制御し、前記処理部から前記搬入出部および前記インターフェイス部への空気の流れを形成することを特徴とするレジスト塗布現像処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  B65G 49/00 ,  G03F 7/16 501 ,  G03F 7/30 501 ,  H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/30 562 ,  B65G 49/00 A ,  G03F 7/16 501 ,  G03F 7/30 501 ,  H01L 21/68 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 処理システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-169551   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-142736   出願人：東京エレクトロン株式会社