特許

J-GLOBAL ID：200903075626375109

チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造方法及びそれを用いた薄膜デバイス

発明者： 長谷川 和正 ,  田村 博明 ,  ▲濱▼田 泰彰
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-019128
公開番号（公開出願番号）：特開2001-213625
出願日： 2000年01月27日
公開日（公表日）： 2001年08月07日
要約：

【要約】【課題】 溶液塗布法におけるチタン酸ジルコン酸鉛薄膜の成膜において、原料溶液の1回塗布で100nm以上の厚みを得ること。【解決手段】 溶媒としてブトキシエタノールと、添加材としてジエタノールアミン及びポリエチレングリコールと、溶質として酢酸鉛(2)三水和物、ジルコニウムアセチルアセトナート及びチタニウムテトライソプロポキシドとを含む原料溶液において、溶質濃度を所定量以上とし、これを用いて成膜する。

請求項（抜粋）：

溶媒としてブトキシエタノールと、添加材としてジエタノールアミン及びポリエチレングリコールと、溶質として酢酸鉛(2)三水和物、ジルコニウムアセチルアセトナート及びチタニウムテトライソプロポキシドとを含む溶液を原料溶液とし、該原料溶液を基板上に塗布する工程と、乾燥する工程と、更に結晶化アニールする工程とを有するチタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造方法であって、前記原料溶液を塗布する回数が1回であり、かつ前記結晶化アニール後に得られたチタン酸ジルコン酸鉛薄膜の厚みを100nm以上とすることを特徴とする、チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C01G 25/00 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 41/24

FI (5件)：

C01G 25/00 ,  H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 41/22 A

Fターム (17件)：

4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AB05 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AE08 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F083FR01 ,  5F083JA15 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34