フォトレジスト重合体、フォトレジスト重合体の製造方法、重合体、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-188342
公開番号（公開出願番号）：特開2002-053612
出願日： 2001年06月21日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：

【要約】【課題】Tips工程に好適なフォトレジスト重合体を提供する。【解決手段】下記化学式(1)に示されるフォトレジスト重合体を含む本発明のフォトレジスト組成物は、露光領域で選択的に保護基が離脱してヒドロキシ基が生成されるためシリル化剤で処理すれば、これらのヒドロキシ基がシリル化剤と反応してシリレーションが起きることになる。従って、乾式現像すれば露光部分のみ残ることになりネガティブパターンを形成することになる。【化1】

請求項（抜粋）：

下記化学式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト重合体。【化1】前記式で、X1及びX2は、それぞれCH2、CH2CH2、O、又はSで、Yは、炭素数1〜10の側鎖又は直鎖のアルキレン、又はエーテル基を含むアルキレンであり、Rは、酸に敏感な保護基で、nは、0〜2の中から選択される整数であり、a:b:c:d:e:f=20〜40mol%:0〜20mol%:20〜70mol%:0〜30mol%:0〜20mol%:0〜20mol%である。

IPC (7件)：

C08F 8/14 , C08F222/06 , C08K 5/00 , C08L 35/00 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 512 , H01L 21/027

FI (8件)：

C08F 8/14 , C08F222/06 , C08K 5/00 , C08L 35/00 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 512 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 570

Fターム (56件)：

2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC07 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB51 , 2H025CC03 , 2H025EA01 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA07 , 2H096EA08 , 2H096FA04 , 2H096GA36 , 2H096HA23 , 4J002BH021 , 4J002BK001 , 4J002BQ001 , 4J002EB106 , 4J002EE037 , 4J002EH047 , 4J002EH157 , 4J002ES006 , 4J002EV216 , 4J002EV246 , 4J002EV296 , 4J002GP03 , 4J100AK32Q , 4J100AR11P , 4J100BA03H , 4J100BA16H , 4J100BA22H , 4J100CA04 , 4J100HA11 , 4J100HB52 , 4J100HC08 , 4J100HC10 , 4J100HE07 , 4J100HE14 , 4J100JA38 , 5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-146045
遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-136918 出願人：富士写真フイルム株式会社
特開平2-146045

前のページに戻る