特許

J-GLOBAL ID：200903075633412273

プラズマCVD装置及びそれを用いた成膜方法

発明者： 石川 道也
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-218351
公開番号（公開出願番号）：特開2003-027242
出願日： 2001年07月18日
公開日（公表日）： 2003年01月29日
要約：

【要約】【課題】 成膜後の試料に反りやクラックが生じることを防止できるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 反応室2内に配置された板状の試料12に成膜するためのプラズマCVD装置において、上記反応室2のほぼ中央で上記試料12をその表裏両面12a,12bを露出させた状態で保持して試料12の表面側反応室2aと裏面側反応室2bとを形成し、その表面側反応室2aに上記試料12の表面12aと対向する表面側高周波電極14aを設けると共に、裏面側反応室2bに試料12の裏面12bと対向する表面側可動電極20bを設け、上記裏面側反応室2bに、上記試料12の裏面12bと対向する裏面側高周波電極14bを設けると共に、表面側反応室2aに試料12の表面12aと対向する裏面側可動電極20aを設けたものである。

請求項（抜粋）：

反応室内に配置された板状の試料に成膜するためのプラズマCVD装置において、上記反応室の略中央で上記試料をその表裏両面を露出させた状態で保持して試料の表面側反応室と裏面側反応室とを形成し、その表面側反応室に上記試料の表面と対向する表面側高周波電極を設けると共に、裏面側反応室に試料の裏面と対向する表面側可動電極を設け、上記裏面側反応室に、上記試料の裏面と対向する裏面側高周波電極を設けると共に、表面側反応室に試料の表面と対向する裏面側可動電極を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (2件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C

Fターム (20件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030BB11 ,  4K030EA04 ,  4K030FA01 ,  4K030GA12 ,  4K030KA30 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045BB11 ,  5F045DP03 ,  5F045DP05 ,  5F045EB02 ,  5F045EF05 ,  5F045EH07 ,  5F045EH13 ,  5F045EM07