特許

J-GLOBAL ID：200903075634664152

半導体装置及びその製造方法

発明者： 亀山 武彦
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-145844
公開番号（公開出願番号）：特開2005-327956
出願日： 2004年05月17日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

【課題】バイアホール内に形成した裏面電極と隣接半導体素子の電極との間のリーク電極をイオン注入法により低減する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】バイアホール形成予定領域の能動層2表面の一部をエッチング除去し、バイアホール形成予定領域に能動層表面からほぼ一定の深さに不純物イオンを注入する。表面電極6を形成した後、バイアホール7を形成する。その結果、深いイオン注入領域9で取り囲まれたバイアホールを形成することができる。その後、裏面電極を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上の表面電極と、前記半導体基板を貫通するバイアホールと、該バイアホールを介して前記表面電極と接続する裏面電極とを備えた半導体装置において、 絶縁領域上の能動層に形成した半導体素子と、該半導体素子形成領域を電気的に絶縁する分離領域と、該分離領域内に形成した前記バイアホールとを備え、 前記バイアホール形成予定領域の前記能動層は表面が凹状に除去され、 前記分離領域は、前記能動層表面から略同一の深さのイオン注入領域からなり、かつ少なくとも前記バイアホールを取り囲む部分は、前記凹状の能動層表面から前記略一定の深さで、前記半導体素子と隣接する部分より深くまで達していることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L21/3205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/737 ,  H01L29/812

FI (3件)：

H01L21/88 J ,  H01L29/80 U ,  H01L29/72 H

Fターム (36件)：

5F003AP04 ,  5F003BF06 ,  5F003BH18 ,  5F003BP11 ,  5F003BP21 ,  5F003BP25 ,  5F003BZ03 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ18 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033XX00 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GR07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-253951   出願人：沖電気工業株式会社