特許
J-GLOBAL ID:200903075635692710
磁気式位置検出装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
皿田 秀夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-368956
公開番号(公開出願番号):特開2000-193407
出願日: 1998年12月25日
公開日(公表日): 2000年07月14日
要約:
【要約】【課題】 ギャップ特性が良好で、高い出力が得られる磁気式位置検出装置を提供する。【解決手段】 磁気情報としての着磁がされた磁気スケール部と、この磁気スケール部に対して相対的に移動し磁気スケール部からの磁気情報を検出するための磁気センサ部とを備えてなる磁気式位置検出装置であって、前記磁気センサ部は、複数の巨大磁気抵抗効果素子と、当該巨大磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイアス磁石を備え、前記磁気スケール部に磁気情報として着磁された方向は、磁気スケール部に対して磁気センサ部が相対的に移動する相対移動方向に対して、実質的に直交方向となっており、前記複数の巨大磁気抵抗効果素子は、磁気スケール部に対して磁気センサ部が相対的に移動する相対移動方向に対して、実質的に直交方向となるように素子配列されており、しかも、実質的に隣接する巨大磁気抵抗効果素子に、互いに異なる方向のバイアス磁界が印加されるように、バイアス磁石が構成され配置される。
請求項(抜粋):
磁気情報としての着磁がされた磁気スケール部と、この磁気スケール部に対して相対的に移動し磁気スケール部からの磁気情報を検出するための磁気センサ部とを備えてなる磁気式位置検出装置であって、前記磁気センサ部は、複数の巨大磁気抵抗効果素子と、当該巨大磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイアス磁石を備え、前記磁気スケール部に磁気情報として着磁された方向は、磁気スケール部に対して磁気センサ部が相対的に移動する相対移動方向に対して、実質的に直交方向となっており、前記複数の巨大磁気抵抗効果素子は、磁気スケール部に対して磁気センサ部が相対的に移動する相対移動方向に対して、実質的に直交方向となるように素子配列されており、しかも、実質的に隣接する巨大磁気抵抗効果素子に、互いに異なる方向のバイアス磁界が印加されるように、バイアス磁石が構成され配置されていることを特徴とする磁気式位置検出装置。
IPC (4件):
G01B 7/00
, G01D 5/245
, G01R 33/09
, H01L 43/08
FI (4件):
G01B 7/00 J
, G01D 5/245 R
, H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
Fターム (25件):
2F063AA02
, 2F063AA35
, 2F063CA04
, 2F063DA01
, 2F063DA04
, 2F063DB04
, 2F063DB07
, 2F063DC08
, 2F063DD03
, 2F063DD06
, 2F063GA52
, 2F063GA72
, 2F063GA80
, 2F063LA27
, 2F077JJ01
, 2F077JJ03
, 2F077JJ09
, 2F077JJ23
, 2F077UU11
, 2F077VV33
, 2G017AC09
, 2G017AD55
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 2G017BA09
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