半導体素子の試験装置および半導体素子の試験方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-186147
公開番号（公開出願番号）：特開2003-004797
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：

【要約】【課題】通電により導波路から発光する半導体素子の試験において、導波路に近い半導体素子の面を、放熱板に設けた吸着穴で固定するために、半導体素子と接触する放熱板の面積が小さくなり、導波路で発生する熱が十分に放熱できず、試験中の半導体素子の温度が上昇して安定した半導体素子の検査を行うことが困難であった。【解決手段】試験針21に設けた吸着穴22により半導体素子14を固定し、半導体素子14の検査用電極15と試験針21の上端とを接触させることで、半導体素子14に形成された導波路16に近い面(半導体素子14の上面)と放熱板25との接触面積が減少することなく、導波路16で発生した熱を急速に放熱板25に伝達させることができる。

請求項（抜粋）：

通電することにより発光する半導体素子の試験装置であって、上端に吸着穴を有する試験針と、前記試験針の上方に設けられた上下可動の放熱板と、前記試験針を支持する支持部を有する治具本体とからなり、前記吸着穴の内部を真空状態にすることより、前記試験針の上端に載置された前記半導体素子が固定され、前記放熱板は下降して前記固定された半導体素子の上面に密着することを特徴とする半導体素子の試験装置。

IPC (5件)：

G01R 31/26 , G01R 1/067 , H01L 21/66 , H01L 33/00 , H01S 5/00

FI (7件)：

G01R 31/26 F , G01R 31/26 H , G01R 31/26 J , G01R 1/067 C , H01L 21/66 B , H01L 33/00 K , H01S 5/00

Fターム (27件)：

2G003AA06 , 2G003AC01 , 2G003AC03 , 2G003AD03 , 2G003AG03 , 2G003AG10 , 2G003AG12 , 2G003AH04 , 2G003AH05 , 2G003AH08 , 2G011AA07 , 2G011AB01 , 2G011AB07 , 2G011AC14 , 2G011AE22 , 4M106AA02 , 4M106AB09 , 4M106BA01 , 4M106CA17 , 4M106DD03 , 4M106DD09 , 4M106DD16 , 4M106DD30 , 4M106DJ07 , 4M106DJ33 , 5F041AA46 , 5F073HA11

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