特許
J-GLOBAL ID：200903075641369638
単結晶引上げ用Si融液の酸素濃度制御及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-069924
公開番号（公開出願番号）：特開平6-279165
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：
【要約】【目的】 Sb添加により酸素濃度を高レベルに維持し、この融液から酸素濃度の高いSbドープSi単結晶を引き上げる。【構成】 1.3原子%以上のSbをSi融液に添加し、Si融液の酸素濃度を前記Sbの含有量で制御する。Si融液中のSb濃度は、重量センサーによって測定したSb濃度を目標酸素濃度に対応した設定Sb濃度と比較し、その差に応じてSbの添加又は蒸発によって調製される。【効果】 融液の酸素濃度がSb濃度との間に図2の関係があることを利用し、Sb濃度の調整によって必要酸素濃度の融液を調製する。
請求項（抜粋）：
1.3原子%以上のSbをSi融液に添加し、前記Si融液の酸素濃度を前記Sbの含有量で制御することを特徴とするSi融液の酸素濃度制御方法。
IPC (4件)：
C30B 15/00
, C30B 15/20
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
