特許
J-GLOBAL ID：200903075644265396
評価方法及びシリコンウェハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-061594
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275584
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】研磨布評価方法と、研磨布の製造方法と、表面粗さ0.3nmRmax以内の平滑なシリコンウェハと、それを得る製造方法とを実現すること。【構成】メカノケミカル加工において、研磨布の評価方法として研磨布のポーラス径と、ポーラス壁厚とによるものを提案し、マイクロラフネスとの相関を得た。そして、フォトリソグラフィ技術により任意形状を有する研磨布を作製し、定盤温度、研磨圧力を最適化することにより表面粗さ0.3nmRmaxのシリコンウェハを得る。
請求項（抜粋）：
半導体素子用シリコンウェハの鏡面研磨において、メカノケミカル加工に用いられる研磨布の、その表面形状であるポーラス(表面の微細な穴)径とポーラス間の壁厚をパラメータにもつ相関係数による評価を特徴とする評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/66
