特許

J-GLOBAL ID：200903075651101536

偏光ビームスプリッタ

発明者： 折野 干城 ,  大島 茂
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 日比谷 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-176065
公開番号（公開出願番号）：特開2001-004840
出願日： 1999年06月22日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 S偏光成分の反射率とP偏光成分の透過率が共に高く、非対称性が少ない偏光分離特性を有する偏光ビームスプリッタを提供する。【解決手段】 相対的に高屈折率物質から成る薄膜層と、低屈折率物質から成る薄膜層とを繰り返して構成する誘電体多層膜を、2つの光透過性基板の接合面に形成し、誘電体多層膜は膜構成がH/L/H/L/Hである第1の積層と、膜構成がH/L/H/L/Hである第2の積層とを含み、第1の積層を構成する薄膜層H及びLの光学的膜厚の平均値を、〈H1〉及び〈L1〉、第2の積層では〈H2〉及び〈L2〉とする。〈H1〉と〈L1〉の内小さい方を分母とした〈H1〉と〈L1〉の比をR1とし、平均値〈H2〉と〈L2〉の比をR2とし、これらの比R1とR2の内の小さい方をQ1大きい方をQ2とし、m=1〜3、n=1〜4のとき、次式を満足して、偏光分離特性の光入射角度依存性を軽減できる。0.95m≦Q1≦1. 2m0. 9(m+n)≦Q2≦1.4(m+n)2≦m+n≦5

請求項（抜粋）：

相対的に高屈折率物質から成る薄膜層Hと相対的に低屈折率物質から成る薄膜層Lとを交互に繰り返して構成する誘電体多層膜を、2つの光透過性基板の接合面に形成した偏光ビームスプリッタにおいて、前記誘電体多層膜は、膜構成がH/L/H/L/Hである第1の積層と、膜構成がH/L/H/L/Hである第2の積層とを含み、前記第1の積層を構成する薄膜層H及び薄膜層Lの光学的膜厚の平均値をそれぞれ〈H1〉及び〈L1〉とし、前記第2の積層を構成する薄膜層H及び薄膜層Lの光学的膜厚の平均値をそれぞれ〈H2〉及び〈L2〉とし、前記平均値〈H1〉と〈L1〉の内の小さい方を分母とする平均値〈H1〉と〈L1〉の比をR1とし、前記平均値〈H2〉と〈L2〉の内の小さい方を分母とする平均値〈H2〉と〈L2〉の比をR2として、これらの比R1と比R2の内の小さい方をQ1、大きい方をQ2とし、mを1〜3までの整数、nを1〜4までの整数とするときに、次式を満足することを特徴とする偏光ビームスプリッタ。0. 95m≦Q1≦1. 2m0. 9(m+n)≦Q2≦1.4(m+n)2≦m+n≦5

IPC (2件)：

G02B 5/30 ,  G02B 5/08

FI (2件)：

G02B 5/30 ,  G02B 5/08 A

Fターム (10件)：

2H042DA08 ,  2H042DA12 ,  2H042DA18 ,  2H042DB01 ,  2H042DC02 ,  2H042DE07 ,  2H049BA05 ,  2H049BA43 ,  2H049BC01 ,  2H049BC21