透明導電性薄膜積層体

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-083727
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296140
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】従来よりも耐環境性、具体的には塩化物イオンなどへの耐久性に優れた銀系薄膜層を有する透明導電性薄膜積層体を提供する。【解決手段】好ましくは透明基体(10)、透明高屈折率薄膜層(20)及びインジウムとスズを含有する銀合金薄膜層(30)から透明導電性薄膜積層体を形成する。【効果】本発明の透明導電性薄膜積層体は、塩化物イオンが存在する環境下において、銀薄膜層で銀原子の凝集を生じにくい。そのため、透明電極や電磁波遮断フィルター部材として用いた場合に銀凝集による点状欠陥が生じない利点を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属薄膜層を有する透明導電性薄膜積層体であって、該金属薄膜層が、インジウム及びスズを含有する銀合金で形成される事を特徴とする透明導電性薄膜積層体。

IPC (4件)：

H01B5/14 , B32B15/08 , H05B33/14 , H05B33/28

FI (5件)：

H01B5/14 A , B32B15/08 P , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , H05B33/28

Fターム (36件)：

3K007AB05 , 3K007AB11 , 3K007AB17 , 3K007CB01 , 4F100AA28C , 4F100AB01A , 4F100AB21A , 4F100AB24A , 4F100AB31A , 4F100AB40A , 4F100AK01B , 4F100AK42B , 4F100AT00B , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10B , 4F100EH66 , 4F100EH66A , 4F100GB41 , 4F100GB56 , 4F100JB02 , 4F100JD01 , 4F100JG01 , 4F100JG01A , 4F100JL00 , 4F100JM02A , 4F100JN01 , 4F100JN01B , 4F100JN01C , 4F100JN18C , 5G307FA02 , 5G307FB02 , 5G307FC04 , 5G307FC09

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