特許

J-GLOBAL ID：200903075652549972

透明導電膜及びその形成方法

発明者： 福吉 健蔵 ,  木村 幸弘 ,  今吉 孝二
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
代理人 (1件)： 上田 章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-033106
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203335
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 導電性と共に形成後の加工安定性に優れた透明導電膜とその形成方法を提供すること。【構成】 この透明導電膜1は、ガラス基板10上に積層され酸化インジウムから成るキャリア高移動度薄膜11及び13と、Mg及びSnが添加された銀合金の薄膜から成るキャリア高濃度薄膜12が互いに隣接して積層された3層膜で構成されている。そして、キャリア高濃度薄膜12で生成した大量のキャリアがキャリア高移動度薄膜に移行してこのキャリア高移動度薄膜中を高速度で移動するため透明導電膜全体の導電率を増大させることが可能となる。また、Mg及びSnがキャリア高濃度薄膜12の内部からキャリア高移動度薄膜11、13側へ排除されて銀元素と共に硬い金属間化合物を生成するため、透明導電膜形成後の傷付き等物理的損傷や剥離が防止されて加工安定性を増大させる。

請求項（抜粋）：

銀若しくは銀合金で構成されたキャリア高濃度薄膜とこのキャリア高濃度薄膜に隣接して積層されたキャリア高移動度薄膜を有し、かつ、基板上に形成される透明導電膜において、上記キャリア高移動度薄膜が60cm2 /V・sec 以上のキャリア移動度を有することを特徴とする透明導電膜。

IPC (6件)：

H01B 5/14 ,  C01G 5/00 ,  C23C 14/58 ,  C23C 30/00 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503