特許
J-GLOBAL ID：200903075652590956
高密度MRAMセルアレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-524191
公開番号（公開出願番号）：特表2004-508707
出願日： 2001年08月09日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
MRAMセル(10)の製造方法に関する。分離用トランジスタ(12)を半導体基板(11)上に設け、基板上に相互接続スタック(13)を形成してトランジスタの一端に接続する。ビア(14)をスタックの上端の上に形成してビアがデジットライン(15)下方の位置からデジットラインの上方の位置にまで延在させる。またビアは、誘電体層(20)の上面の上方に延びてアライメントキーとなる。一つのMTJメモリセルをその上面の上に位置させてビアと接続させ、磁性材料からなる自由層の端部を、サイドウォールスペーサ及び選択エッチングを使用して磁性材料からなる固定エッジの端部から離間させる。
請求項（抜粋）：
分離用トランジスタを有した半導体基板を設ける工程と、
前記トランジスタの一端子と接続している相互接続スタックを前記基板上に形成する工程と、
前記相互接続スタックの上端に隣接してビットラインを設ける工程と、
前記ビットライン下方の位置から前記ビットラインの上方の位置に延在させるべく、前記相互接続スタックの前記上端にビアを形成する工程とからなる小型磁気抵抗ランダムアクセスメモリの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083KA05
, 5F083KA20
, 5F083PR01
, 5F083PR06
, 5F083PR07
, 5F083PR09
, 5F083PR38
, 5F083PR40
