特許

J-GLOBAL ID：200903075655249457

SOI構造の横型パワーMOSFET

発明者： 鈴村 正彦 ,  鈴木 裕二 ,  高野 仁路 ,  岸田 貴司 ,  白井 良史 ,  早崎 嘉城 ,  前田 光英
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-282026
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129887
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 ドレイン・基板間の寄生容量の低減によって出力容量を低減することができ、高速化を図る【解決手段】 半導体支持基板1上に埋め込み酸化膜2を介して形成された半導体基板3に、ソース領域4とドレイン領域6が形成され、ソース領域4を囲んでウエル領域5が形成され、ソース領域4とドレイン領域6間にはチャネル領域7が形成され、チャネル領域7上には絶縁ゲート8が形成された、いわゆるSOI構造の横型パワーMOSFETにおいて、導体基板3中に形成された、酸化膜9とポリシリコン膜10により構成された素子間分離領域11と、ウエル領域5が隣接するように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体支持基板上に絶縁膜を介して形成された第1導電型の半導体基板に、第1導電型のソース領域とドレイン領域が形成され、前記ソース領域を囲んで第2導電型のウエル領域が形成され、前記ソース領域と前記ドレイン領域間にはチャネル領域が形成され、そのチャネル領域上には絶縁ゲートが形成された、いわゆるSOI構造の横型パワーMOSFETにおいて、前記導体基板中に形成された、絶縁膜と誘電体により形成された素子間分離領域と、前記ウエル領域が隣接するように構成されていることを特徴とするSOI構造の横型パワーMOSFET。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 621 ,  H01L 27/12 F ,  H01L 21/76 D ,  H01L 29/78 301 W