特許

J-GLOBAL ID：200903075656909868

半導体発光素子

発明者： 須崎 慎三
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-210010
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037016
出願日： 1991年07月26日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 SLDおよびEEDのような半導体発光素子において、生産性、および歩留まりを改善する。【構成】 結晶面方位を(110)とした第1導電型基板21の上に第1導電型層22が形成され、その上に導波路となる活性層23が形成され、さらにその上に第2導電型層24が形成される。第1導電型層22の少なくとも一部、活性層23、および第2導電型層24からなる部分の両側には第2導電型層と第1導電型層との逆接合、または半絶縁性の高抵抗層からなる電流ブロック層が形成される。活性層23の両端側の(100)面および(010)面は、基板21の面方位に対して傾斜している。活性層23の両端側の(100)面および(010)面には、レーザ発振を抑制するための低反射コート層26が形成される。

請求項（抜粋）：

結晶面方位と直角にならない劈開面をもつ結晶面方位の半導体基板と、この半導体基板上にストライプ状に順次積層形成された第1導電型層、活性層および第2導電型層と、これらストライプ状の第1導電型層、活性層および第2導電型層の積層部の両側に形成された電流ブロック層とを具備し、且つ前記ストライプ状の導波路となる活性層の両端側に、劈開により、前記半導体基板の面方位とは直角にならない光出射端面を形成したことを特徴とする半導体発光素子。