特許

J-GLOBAL ID：200903075657611242

強誘電体薄膜の形成方法及び半導体素子のキャパシタ構造の作製方法

発明者： 磯辺 千春 ,  杉山 正隆 ,  広中 克行 ,  網 隆明 ,  クリスチャン・グットレーベン
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-245516
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069615
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【課題】強誘電体薄膜を堆積させた後、かかる強誘電体薄膜を熱処理することによって、酸素欠陥(酸素空孔)の問題を解決し、所望の結晶性、物性を有する強誘電体薄膜を形成する方法を提供する。【解決手段】強誘電体薄膜の形成方法は、強誘電体薄膜を活性酸素雰囲気中で熱処理することを特徴とする。活性酸素雰囲気は、オゾン、N2O又はNO2といった酸化性ガスを含有する酸素雰囲気とすることができ、あるいは又、活性酸素雰囲気を、酸素のプラズマ励起若しくはオゾン及び/又は酸素の紫外光励起によって得ることができる。

請求項（抜粋）：

強誘電体薄膜を活性酸素雰囲気中で熱処理することを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。

IPC (9件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C01B 13/14 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 27/10 651 ,  C01B 13/14 A ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (10件)

• 特開平2-249278
  
• 特開平2-283022
  
• 特開平2-290079
  
• 強誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-162703   出願人：ローム株式会社
• 強誘電性メモリ回路の形成方法及び強誘電性コンデンサの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-035838   出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
• 半導体装置のキャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-309547   出願人：三星電子株式会社
• 強誘電体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-167859   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-254378   出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
• 特開平3-047532
  
• 特開昭62-174923