特許

J-GLOBAL ID：200903075659960040

多層配線構造の製造法および半導体装置

発明者： 川崎 大 ,  児嶋 充雅
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 廣瀬 章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-009215
公開番号（公開出願番号）：特開平9-197670
出願日： 1996年01月23日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 ポリイミドを層間絶縁層として多層配線構造とするとき、平坦な層間絶縁層を得る。【解決手段】 (a)一般式(1)【化1】(但し、式中R1は3価または4価の有機基、R2は2価の有機基、Mは水素、アルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンを表わす。nは1又は2である)で表わされる繰り返し単位を主成分とするポリマ100重量部、(b)一般式(2)【化2】(但し、式中R3 は2価の有機基を表わす)で表わされるビスアジド化合物0.1〜100重量部(c)不飽和結合を有するアミン化合物1〜400重量部及び(d)分子内にカルボキシル基を有する化合物を含有してなる感光性組成物を塗布し、乾燥後露光現像してビアホールを形成し、さらに硬化して層間絶縁膜とし、その上に上層配線層を形成する。

請求項（抜粋）：

(a)一般式(1)【化1】(但し、式中R1は3価または4価の有機基、R2は2価の有機基、Mは水素、アルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンを表わす。nは1又は2である)で表わされる繰り返し単位を主成分とするポリマ100重量部、(b)一般式(2)【化2】(但し、式中R3 は2価の有機基を表わす)で表わされるビスアジド化合物0.1〜100重量部(c)不飽和結合を有するアミン化合物1〜400重量部及び(d)分子内にカルボキシル基を有する化合物を含有してなる感光性組成物を塗布し、乾燥後露光現像してビアホールを形成し、さらに硬化して層間絶縁膜とし、その上に上層配線層を形成することを特徴とする多層配線構造の製造法。

IPC (5件)：

G03F 7/037 ,  G03F 7/008 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H05K 3/46

FI (5件)：

G03F 7/037 ,  G03F 7/008 ,  H01L 21/312 D ,  H05K 3/46 T ,  H01L 21/90 S