特許

J-GLOBAL ID：200903075662099983

無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法および電子部品

発明者： 吉田 育史 ,  国司 多通夫
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-312506
公開番号（公開出願番号）：特開2001-131761
出願日： 1999年11月02日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：

【要約】【課題】還元剤としてホルマリンを用いず、かつ、セラミック材料や樹脂材料で形成された電子部品にも使用可能な、弱酸性から弱アルカリ性の無電解銅めっき浴を提供する。【解決手段】2価の銅化合物と、2価の銅イオンの錯化剤と、還元剤と、pH調整剤とを含有する無電解銅めっき浴において、還元剤としてアミンボランの誘導体またはアミンボラン化合物を用い、さらに、めっき浴の安定性を向上させる安定剤として亜硫酸と亜硫酸塩の少なくとも一方を添加する。

請求項（抜粋）：

2価の銅化合物と、2価の銅イオンの錯化剤と、還元剤と、pH調整剤とを含有する無電解銅めっき浴において、めっき浴の安定性を向上させる安定剤として亜硫酸と亜硫酸塩の少なくとも一方を添加したことを特徴とする無電解銅めっき浴。

IPC (2件)：

C23C 18/40 ,  H05K 3/18

FI (2件)：

C23C 18/40 ,  H05K 3/18 E

Fターム (18件)：

4K022AA04 ,  4K022AA14 ,  4K022AA41 ,  4K022BA08 ,  4K022DA01 ,  4K022DB01 ,  4K022DB03 ,  4K022DB04 ,  4K022DB07 ,  4K022DB08 ,  5E343AA12 ,  5E343AA24 ,  5E343BB24 ,  5E343CC71 ,  5E343CC73 ,  5E343CC78 ,  5E343DD33 ,  5E343GG20