特許
J-GLOBAL ID:200903075666621323
薄膜光起電力デバイスの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
秋沢 政光 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-264074
公開番号(公開出願番号):特開平6-209116
出願日: 1986年05月26日
公開日(公表日): 1994年07月26日
要約:
【要約】【目的】 所望により低温化学蒸着法により酸化亜鉛の層を重ね合わせて薄膜光起電力デバイスを仕上げる。【構成】 二セレン化インジイム銅の第1の層を沈着し、次いでこの第1の層上に低温化学蒸着法により主として酸化亜鉛よりなる第2の層を沈着しデバイスを製造する。
請求項(抜粋):
二セレン化インジウム銅の第1の層を沈着し、次いでこの第1の層上に低温化学蒸着法により主として酸化亜鉛よりなる第2の層を沈着することを特徴とする薄膜光起電力デバイスの製造方法。
引用特許:
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