特許
J-GLOBAL ID：200903075667349244
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-124642
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316585
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 多重量子井戸構造の活性層への正孔の注入の不均一性が改善された半導体発光素子を提供することである。【構成】 圧縮歪障壁層41および引張り歪井戸層42が交互に積層されてなるMQW活性層4とp-クラッド層8との間に引張り歪を有する引張り歪層5を設けることにより、p-クラッド層8からMQW活性層4の全体に均一に正孔を注入する。
請求項（抜粋）：
複数の井戸層および圧縮歪を有するかまたは歪を有さない複数の障壁層が交互に積層されてなる多重量子井戸構造の活性層をn型クラッド層およびp型クラッド層の間に配置してなる半導体発光素子において、前記p型クラッド層と前記活性層との間に、前記p型クラッド層よりも小さいバンドギャップを有しかつ引張り歪を有する引張り歪層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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