特許
J-GLOBAL ID：200903075669979300
磁気抵抗効果再生ヘツドおよびそれを用いた磁気記録装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-124470
公開番号（公開出願番号）：特開平5-135332
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】素子形成プロセスを簡略し得る構造で、バルクハウゼンノイズの発生を防止し、かつ、磁気抵抗効果素子層及びその上に積層される記録ヘッドに段差が生じること、及び応力が集中することを抑制し、薄い磁気抵抗層が硬磁性体層の段差部で破断されることを防止すること。【構成】 中央部感磁領域102と端部磁区制御領域103を有する強磁性体材料の薄膜からなる磁気抵抗効果膜3と、端部磁区制御領域103に重なって直接接する硬磁性体材料の薄膜からなる硬磁性体層1を設け、磁気抵抗効果膜3の中央部感磁領域102を単磁区状態に維持するために、磁界および強磁性交換結合による縦方向磁気バイアスを発生させることを特徴とする磁気抵抗効果再生ヘッド。
請求項（抜粋）：
中央部感磁領域と端部磁区制御領域を有する強磁性体材料の薄膜からなる磁気抵抗効果膜と、上記端部磁区制御領域に重なって直接接する硬磁性体材料の薄膜からなる硬磁性体層を設け、上記磁気抵抗効果膜の中央部感磁領域を単磁区状態に維持するために、磁界および強磁性交換結合による縦方向磁気バイアスを発生させることを特徴とする磁気抵抗効果再生ヘッド。
引用特許：
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