特許
J-GLOBAL ID：200903075678958137

半導体レーザ装置

発明者：
波多腰 玄一

波多腰 玄一 について

, 
古山 英人

古山 英人 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-373067
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189519
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 光出射面に微小開口を設けた半導体レーザにおいて、レーザ光のスポット径の極小化を可能にし、且つ微小開口を通過する光の光通過効率の向上をはかる。【解決手段】 半導体レーザ素子の光出射面の外側に微小開口14を有する光吸収膜12を設けた半導体レーザ装置において、開口14を、レーザ光の偏光方向に沿った開口幅W1 が半導体レーザ素子の発振波長の1/2より短くなり、偏光方向に垂直な方向の開口幅W2 が開口幅W1 より長くなるように形成した。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子の光出射面の外側に開口を有する光吸収膜を設けた半導体レーザ装置であって、前記開口は、レーザ光の偏光方向に沿った開口幅W1 が偏光方向に垂直な方向の開口幅W2 よりも短いことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S 5/028 ,  H01S 5/183
FI (2件)：
H01S 5/028 ,  H01S 5/183
Fターム (12件)：
5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA82 ,  5F073AA84 ,  5F073AB17 ,  5F073BA05 ,  5F073CA05 ,  5F073CA14 ,  5F073CB20 ,  5F073DA33 ,  5F073DA35 ,  5F073EA18
引用特許：
審査官引用 (5件)
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