特許
J-GLOBAL ID：200903075684401209
半導体素子の微細パタ-ン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339888
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195787
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 本発明は半導体素子の微細パターン形成方法に関し、さらに詳しくは、マスク開口領域を縮小しフレア効果を減少させることにより、望むパターンを歪みなく転写させ得るようにした半導体素子の微細パターン形成方法を提供することにある。【解決手段】 本発明に係る半導体素子の微細パターン形成方法は、マスク開口領域と比例して大きくなるフレアにより望まない部分が露光され半導体素子の露光が誤るのを防ぐため、転写されない程度のパターンをマスク開口領域に配置する工程を含んで構成される。
請求項（抜粋）：
テストパターン領域とチップ領域に区分されたマスクを提供する工程と、前記テストパターン領域に露光後パターンが形成されない程度の微細パターンを配置する工程を含んでなることを特徴とする半導体素子の微細パターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 516 A
, G03F 1/08 A
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 P
