特許

J-GLOBAL ID：200903075686462736

ドライエッチング方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-097914
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299388
出願日： 1992年04月17日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 CFC(クロロフルオロカーボン)ガスを使用せずに、W-ポリサイド膜の高選択, 異方性エッチングを行う。【構成】 W-ポリサイド膜5をCOF2 (フッ化カルボニル)/HBr混合ガスを用いてエッチングする。このとき、レジスト・マスク6の分解生成物に由来して形成される炭素系ポリマーCBrx には、カルボニル基(>C=O)の導入により強い化学結合と静電吸着力が付与されるので、強固な側壁保護膜7を形成できる。したがって、異方性加工に必要な入射イオン・エネルギーと炭素系ポリマーの堆積量が低減でき、レジスト・マスク6やゲート酸化膜2に対する選択性が向上する他、パーティクル汚染が抑制できる。ガスにS2 Br2 を添加してS(イオウ)の堆積を併用すれば更なる高選択化が、またWSix 層4のエッチング時にSF6 等を併用すれば高速化が実現する。

請求項（抜粋）：

シリコン系材料層と高融点金属シリサイド層とがこの順に積層されたポリサイド膜をエッチングするドライエッチング方法において、分子内にカルボニル基とハロゲン原子とを有するハロゲン化合物を含むエッチング・ガスを用いて前記ポリサイド膜をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。