特許
J-GLOBAL ID：200903075687521272
多層構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-312318
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236988
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 金属層が良好な付着及び酸化に対する高耐性を有する、エピタキシャル金属膜、中間層、及び半導体基板を有する構造を準備することが目的である。【構成】 順に、方位を有する単一結晶基板、エピタキシャルバッファ層、エピタキシャル金属電極、及び金属電極上に配置されたエピタキシャル金属酸化物上層よりなる多層構造。基板は珪素化合物と、ゲルマニウム化合物と、アルミニウム、ガリウム、及びインジウムよりなる群から選択された少なくとも一つの元素及び窒素、燐、砒素、及びアンチモンよりなる群から選択された少なくとも一つの元素を有する化合物とよりなる群から選択された半導体である。
請求項（抜粋）：
ドープ又はアンドープされ、珪素化合物と、ゲルマニウム化合物と、アルミニウム、ガリウム、及びインジウムよりなる群から選択された少なくとも一つの元素及び窒素、燐、砒素、及びアンチモンよりなる群から選択された少なくとも一つの元素を有する化合物とよりなる群から選択された半導体である方位を有する単一結晶基板と、エピタキシャルバッファ層と、エピタキシャル金属電極と、該金属電極上にデポジットされたエピタキシャル金属酸化物上層とよりなる多層構造。
IPC (3件)：
H01L 29/46
, G02B 6/12
, H01S 3/18
