特許

J-GLOBAL ID：200903075692634425

金属不純物検査用ウエーハ及び該ウエーハを用いた金属不純物検査方法

発明者： 佐々木 保 ,  金谷 晃一 ,  櫻井 純一
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 高橋 昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-207557
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040723
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【目的】 ウエーハ加工工程において高感度に且つ効率的に金属汚染物を捕捉できる金属不純物検査用ウエーハ及び該ウエーハを用いた金属不純物検査方法を提供することを目的とする。【構成】 少なくとも表面層が絶縁性であるシリコン基板表面にポリシリコン層を形成させた検査用基板を用い、該基板表面側に研磨加工にてポリシリコン層を研磨し、該研磨工程における金属汚染の状況を全反射蛍光X線により重金属を検査することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面層が絶縁性である検査用シリコン基板の表面にポリシリコン層を形成させたことを特徴とする金属不純物検査用ウエーハ。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01N 1/28 ,  G01N 23/223 ,  H01L 21/02

FI (5件)：

H01L 21/66 L ,  H01L 21/66 Z ,  G01N 23/223 ,  H01L 21/02 B ,  G01N 1/28 N

Fターム (26件)：

2G001AA01 ,  2G001BA04 ,  2G001CA01 ,  2G001JA12 ,  2G001KA01 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001NA05 ,  2G001NA10 ,  2G001NA11 ,  2G001NA13 ,  2G001NA17 ,  2G001RA01 ,  2G001RA02 ,  2G001RA03 ,  2G001RA05 ,  2G001RA08 ,  2G001RA20 ,  4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB17 ,  4M106BA11 ,  4M106BA12 ,  4M106CB01 ,  4M106DH11 ,  4M106DH25