特許
J-GLOBAL ID：200903075693276999
TiN薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-337986
公開番号（公開出願番号）：特開平5-148653
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：
【要約】【目的】 CVD法によるTiN形成にとっては一般的な原料であるTiCl4とNH3とを用いて基板温度が300°C以下でもTiN薄膜を形成可能にする。【構成】 反応容器2内にNH3を300sccm、TiCl4を10sccmの流量で導入し、反応容器2内の圧力を100mTorrにする。基板14を基板ホルダ-10の内部のヒ-タ12で300°Cに加熱する。水銀ランプ22からの紫外線ビ-ム24を、石英窓26を通して、基板14の表面に並行にかつ近接して照射する。NH3とTiCl4は基板14の上方で混合され、紫外線24の作用により基板表面で励起される。励起されたガス分子は他のガス分子に衝突する前に基板表面に到達し、CVD反応過程に移行する。
請求項（抜粋）：
反応容器内にチタン化合物のガスと窒素化合物のガスとを導入して、CVD反応により基板上にTiN薄膜を形成するTiN薄膜形成方法において、薄膜形成過程において基板の近傍に光を照射することを特徴とするTiN薄膜形成方法。
IPC (2件)：
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