特許
J-GLOBAL ID：200903075696814061
成膜装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-134961
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335239
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 装置を大形化して設置面積の増大を招くことなく、大形の基板に対しても膜厚の面内均一性の高い良好な成膜処理を行うことのできる成膜装置を提供する。【構成】 ターンテーブル10を回転させ、ランプ9によって半導体ウエハ3を均一に加熱しつつ、開閉弁26を順次開閉することにより、ガス供給部21を切り替えて順次半導体ウエハ3の各部に成膜用ガスを供給し、半導体ウエハ3全面に均一にCVD膜を形成する。
請求項（抜粋）：
処理チャンバ内に設けた基板に所定のガスを供給して成膜を行う成膜装置において、前記基板に対向する如く配置されガス供給口から該基板面に前記ガスを供給する複数のガス供給部を有し、これらのガス供給部から順次切り替えて所定量ずつ前記ガスを供給するガス供給機構を設けたことを特徴とする成膜装置。
引用特許：
前のページに戻る
