配線基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-388491
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150552
出願日： 2003年11月18日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】ファインピッチにして形成される配線パターン層やビア導体とこれらに隣接する樹脂絶縁層との間で確実な密着性を得ることが可能な配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】平均粒径が1.0μm以上で且つ10.0μm以下のSiO2からなる無機フィラを30wt%以上で且つ50wt%以下含むエポキシ樹脂を主成分とする樹脂絶縁層6の表面を粗化する粗化工程を含み、かかる粗化工程は、70°C以上で且つ85°C以下において過マンガン酸液(例えば、過マンガン酸ナトリウム溶液)に20分間以上浸漬する粗化処理を含む、配線基板Kの製造方法。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

平均粒径が1.0μm以上で且つ10.0μm以下のSiO2からなる無機フィラを30wt%以上で且つ50wt%以下含むエポキシ樹脂を主成分とする樹脂絶縁層の表面を粗化する粗化工程を含み、上記粗化工程は、70°C以上で且つ85°C以下において過マンガン酸液に20分間以上浸漬する粗化処理を含む、ことを特徴とする配線基板の製造方法。

IPC (2件)：

H05K3/46 , H05K3/38

FI (3件)：

H05K3/46 B , H05K3/46 T , H05K3/38 A

Fターム (34件)：

5E343AA02 , 5E343AA12 , 5E343AA36 , 5E343AA38 , 5E343BB24 , 5E343BB71 , 5E343CC48 , 5E343DD32 , 5E343EE38 , 5E343GG02 , 5E343GG04 , 5E343GG08 , 5E346AA05 , 5E346AA06 , 5E346AA12 , 5E346AA15 , 5E346AA32 , 5E346AA43 , 5E346BB01 , 5E346CC08 , 5E346CC16 , 5E346CC32 , 5E346CC55 , 5E346DD03 , 5E346DD22 , 5E346DD32 , 5E346DD48 , 5E346EE38 , 5E346FF04 , 5E346GG15 , 5E346GG17 , 5E346GG22 , 5E346GG27 , 5E346HH26

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3054388号公報(第3〜4頁、段落番号(0017))

審査官引用 (9件)

配線基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-050573 出願人：京セラ株式会社
接着材およびこれを用いた電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-048784 出願人：京セラ株式会社
接着材およびこれを用いた電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-161262 出願人：京セラ株式会社

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