特許
J-GLOBAL ID：200903075699251750
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-330197
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166820
出願日： 1991年12月13日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 横形のバイポーラトランジスタのベース幅の縮小と素子面積を低減する。【構成】 N-形エピ成長層からなるベース領域3を有するP-形のSi基板1の所定領域に、P+形のエミッタ領域5とエミッタ領域5に対向したP+形のコレクタ領域6を備え、エミッタ領域5に接合するベース領域3に高濃度のN形の活性ベース領域10を設けた。【効果】 ベース幅を縮小してもコレクタ接合から広がる空乏層は高濃度の活性ベース領域10で抑制されるのでパンチスルー耐圧は向上する。
請求項（抜粋）：
一方導電形のベース領域を有する半導体基板と、前記半導体基板の一主面の所定領域に形成された他方導電形のエミッタ領域と、前記エミッタ領域に対向して形成された他方導電形のコレクタ領域とを備え、前記エミッタ領域と接合するベース領域にそのベース領域よりも高濃度の一方導電形の活性ベース領域が形成されてなる半導体装置。
IPC (2件)：
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