特許
J-GLOBAL ID：200903075699622694
半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-265941
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112098
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 MOVPE法により、回折格子を有するInP基板上にDFBレーザのダブルへテロ構造部を結晶成長したとき、回折格子の谷の部分でのInAsP変成層の堆積を防ぐ。【解決方法】 回折格子を有するInP基板上にMOVPE法によりガイド層、スペーサ層、MQW層の各結晶層を順次形成する際の昇温プロファイルについては、2分間以内の短時間でオーバーシュートすることなく成長温度に達し、その後の温度ドリフトを±5°C以内で安定させる様に設定する。また、InGaAsPガイド層成長開始タイミングについては、Inのマストランスポートが活性化する前にガイド層の成長が始まる様に設定する。
請求項（抜粋）：
基板の表面に回折格子が形成され、この回折格子上に有機金属気相成長法により結晶層を形成する工程を含む半導体素子の製造方法において、前記結晶層の有機金属気相成長工程を、前記回折格子に含まれる元素のマストランスポートが活性化する前に成長を始めることを特徴とする半導体素子の製造方法
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
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特開平2-283084
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特開昭63-152189
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特開昭63-196034
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