特許
J-GLOBAL ID：200903075705889100
半導体装置用リードフレーム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中前 富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-249304
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074879
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 ワイヤ及び外部配線基板の端子との接合性、製品の品質及び長期信頼性を損なうことなく、Pd、Au、Agの材料を使用量を極力少なくして安価な半導体装置用リードフレームを提供する。【解決手段】 複数の内部リード14と、内部リード14にそれぞれ連接される外部リード15とを有し、所要領域には金属めっき層が設けられた半導体装置用リードフレーム10において、金属めっき層が、素材の全面に形成されたNiめっきからなる下地めっき層17と、内端子部20の表面にPd又はPd合金の第1の部分めっき層18を介して設けられた厚みが0.001〜0.1のAu又はAgめっき層27と、外端子部25の全部にPd又はPd合金の第2の部分めっき層26を介して形成された厚みが0.001〜0.1μmのAu又はAgめっき層27とからなる。
請求項（抜粋）：
中央の半導体素子搭載部と、該半導体素子搭載部の周囲に配置され前記半導体素子搭載部に搭載された半導体素子と金属細線で連結される内端子部を内側に備えた複数の内部リードと、該内部リードにそれぞれ連接され、組立にあっては外部配線基板の端子に接続される外端子部を備えた外部リードとを有し、所要領域には金属めっき層が設けられた半導体装置用リードフレームにおいて、前記金属めっき層が、素材の全面に形成されたNiめっきからなる下地めっき層と、前記内端子部の表面にPd又はPd合金の第1の部分めっき層を介して設けられた厚みが0.001〜0.1のAu又はAgめっき層と、前記外端子部の全部にPd又はPd合金の第2の部分めっき層を介して形成された厚みが0.001〜0.1μmのAu又はAgめっき層とからなることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, C23C 28/02
, C23C 30/00
H01L 23/50 D
, C23C 28/02
, C23C 30/00 B
