特許

J-GLOBAL ID：200903075707160727

正孔注入電極及び半導体素子

発明者： 初田 美砂紀 ,  柳田 裕昭 ,  折田 政寛
出願人/特許権者： HOYA株式会社
代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-105125
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294415
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】ZnSe化合物半導体のような荷電子帯上端が真空準位から深い材料にも適用可能であり、電気特性の制御性の高く、該半導体との密着性が良く、長期安定性に優れた、正孔注入電極を得る。【解決手段】正孔注入電極15であって、組成式(PdxPtyNiz)uZnSe(ただし、uは4≦u≦6の実数であり、x、y、zはx+y+z=1、1>x≧0、1>y≧0、1>z≧0の実数)で示される材料からなる電極層を有する。半導体素子であって、組成式(Zn1-α-βMgαCdβ)(Se1-m-nSmTen)(ただし、モル比m、nおよびα、βは、m+n≦1、0≦m≦1、0≦n≦0.2、0≦α≦0.2、0≦β≦0.2)で示される材料からなるP型半導体層14と、電極層がP型半導体層14と接するように形成された正孔注入電極15と、を有してもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

組成式(PdxPtyNiz)uZnSe(ただし、uは4≦u≦6の実数であり、x、y、zはx+y+z=1、1>x≧0、1>y≧0、1>z≧0の実数)で示される材料からなる電極層を有することを特徴とする正孔注入電極。

IPC (7件)：

H01L33/00 ,  H01L21/28 ,  H01L29/861 ,  H01L31/04 ,  H01L31/10 ,  H01S5/02 ,  H01S5/347

FI (7件)：

H01L33/00 E ,  H01L21/28 301B ,  H01S5/02 ,  H01S5/347 ,  H01L29/91 F ,  H01L31/10 H ,  H01L31/04 H

Fターム (31件)：

4M104AA03 ,  4M104BB36 ,  4M104DD34 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  5F041AA43 ,  5F041CA44 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F041CA84 ,  5F041CA87 ,  5F041CA98 ,  5F049MA02 ,  5F049MB01 ,  5F049PA01 ,  5F049SE05 ,  5F051AA09 ,  5F051BA11 ,  5F051BA12 ,  5F051CB14 ,  5F051DA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F173AA01 ,  5F173AH32 ,  5F173AH47 ,  5F173AK05 ,  5F173AK20 ,  5F173AP09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電 極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-250913   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (1件)

• 電 極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-250913   出願人：松下電器産業株式会社