パターン描画方法及び荷電ビーム描画装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268355
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093809
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】VSB描画方式によるパターンの描画を減少させつつ、CP描画方式に用いられるアパーチャの数の増加を抑制すること。【解決手段】電子銃101と、電子銃101から発生された電子ビーム102を所望のアパーチャ像に成形するCPアパーチャ105と、成形された電子ビーム102をウェハ116上に結像させる結像レンズ系106,108と、電子ビーム102をブランキングするためのブランキング偏向器118と、試料面上の荷電ビームの照射位置を制御する対物偏向器107と、ウェハ116上に結像させるパターンに応じて前記結像レンズ系106,108の条件を変更し、CPアパーチャ105と前記試料間で前記アパーチャ像の結像する回数を変更する手段117とを具備してなる。

請求項（抜粋）：

荷電ビーム源と、この荷電ビーム源から発生された荷電ビームを所望のパターンに成形するアパーチャと、成形された荷電ビームを試料上に結像させる結像レンズ系と、荷電ビームをブランキングするためのブランキング偏向器と、試料面上の荷電ビームの照射位置を制御する対物偏向器とを有する荷電ビーム描画装置を用いたパターン描画方法であって、前記結像レンズ系のレンズ条件を変更して、前記アパーチャと前記試料との間で前記アパーチャで成形された荷電ビーム像の結像する回数を異ならせ、該アパーチャにより成形された荷電ビームのパターンに対して、相似又は点対称なパターンを該試料面上に結像させることを特徴とするパターン描画方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521

FI (5件)：

G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 541 M , H01L 21/30 541 S , H01L 21/30 541 A

Fターム (7件)：

2H097AA03 , 2H097CA16 , 2H097LA10 , 5F056AA06 , 5F056CB05 , 5F056CB32 , 5F056EA04

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