特許

J-GLOBAL ID：200903075714174377

パターン形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 松尾 隆弘
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-242382
公開番号（公開出願番号）：特開平11-084683
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：

【要約】【課題】 ドライ現像におけるエッチング選択比が向上させて、矩形状の断面を有するレジストパターンが得られるようにする。【解決手段】 半導体基板10の上に、保護基としてT-BOCを有するポリビニルフェノール樹脂と光酸発生剤とを含むレジストを塗布してレジスト膜11を形成した後、該レジスト膜11に対してパターン露光を行なう。パターン露光されたレジスト膜11の上に、3つ以上の官能基を有するシリル化剤、例えば、液相のトリス(ジメチルアミノ)シラン(T(DMA)S)14を供給して、レジスト膜11の露光部11aの表面に選択的にポリシロキサン層15を形成する。レジスト膜11に対してポリシロキサン層15をマスクとしてドライエッチングを行なって、レジストパターン18を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に感光性樹脂を塗布して樹脂膜を形成した後、該樹脂膜に対してパターン露光を行なう第1の工程と、パターン露光された前記樹脂膜の上に3つ以上の官能基を有するシリル化剤を供給して、前記樹脂膜における露光部の表面に選択的にシリル化層を形成する第2の工程と、前記樹脂膜に対して前記シリル化層をマスクとしてドライエッチングを行なって、前記樹脂膜よりなるパターンを形成する第3の工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/38 512 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

G03F 7/38 512 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/312 N ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/90 K