特許

J-GLOBAL ID：200903075716947675

導体膜およびその形成方法

発明者： 奥田 晃 ,  柴崎 初彦 ,  丸山 賢治 ,  谷野 隆 ,  小林 康寛
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-205840
公開番号（公開出願番号）：特開平9-104969
出願日： 1996年08月05日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 導体膜と接着層の界面で拡散を起こす温度以上に基板を加熱することなく、導体膜と接着層との付着力を高めることのできる導体膜およびその形成方法を提供する。【解決手段】 セラミックス、ガラス等の基板5にAg、Au、Cu、Al等の導体膜12を成膜するに際し、Cr、NiCr等の接着層11を基板5上に形成し、接着層11上に接着層材料と導体膜材料とからなる混合層13を形成し、混合層13上に導体膜12を成膜する。

請求項（抜粋）：

セラミックス、ガラス等の基板に形成した導体膜において、基板上に接着層を備え、接着層と導体膜との界面に接着層材料と導体膜材料とからなる混合層を備えたことを特徴とする導体膜。

IPC (5件)：

C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/54 ,  C23C 14/56 ,  H01L 21/285

FI (7件)：

C23C 14/14 G ,  C23C 14/34 C ,  C23C 14/34 S ,  C23C 14/54 D ,  C23C 14/56 E ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-337083
  
• 特開昭55-069255
  
• 特開昭54-121154
  
• 特開昭62-173622
  
• 特公平4-024427