半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127701
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326517
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】バイアホールへのタングステンの埋込方法に関し,タングステンとコンタクトメタル/バリアメタルとの間で互いに選択性のあるエッチング条件を提供し,良好な埋込形状を得ることを目的とする。【構成】下地基板上1に被着された絶縁膜2に開口されたバイアホールに表出している該下地基板を含む全面にチタン(Ti)膜3, 窒化チタン(TiN) 膜4, タングステン(W) 膜5を順次被着し該バイアホールを埋め込む工程と, 該下地基板の温度を 100°C以下に保ち,フッ素系ガスを用いて該タングステン膜をエッチングし, 該絶縁膜表面上の該窒化チタン膜でエッチングを止め,該バイアホール内に該タングステン膜を残す工程と, 該フッ素系ガスまたは塩素系ガスに,四塩化シリコン(SiCl4) を添加した反応ガスを用いて, 該絶縁膜表面上の該窒化チタンおよび該チタン膜を選択的にエッチングする工程とを有するように構成する。

請求項（抜粋）：

下地基板上(1) に被着された絶縁膜(2) に開口されたバイアホールに表出している該下地基板を含む全面にチタン(Ti)膜(3), 窒化チタン(TiN) 膜(4), タングステン(W) 膜(5) を順次被着し該バイアホールを埋め込む工程と,該下地基板の温度を 100°C以下に保ち,フッ素系ガスを用いて該タングステン膜をエッチングし, 該絶縁膜表面上の該窒化チタン膜でエッチングを止め,該バイアホール内に該タングステン膜を残す工程と,該フッ素系ガスまたは塩素系ガスに,四塩化シリコン(SiCl4) を添加した反応ガスを用いて, 該絶縁膜表面上の該窒化チタンおよび該チタン膜を選択的にエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/302

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