特許

J-GLOBAL ID：200903075727856060

長波長受光素子用基板及びエピタキシャルウエハ

発明者： 三浦 祥紀 ,  藪原 良樹
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066238
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261813
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】 長波長受光素子に適用するときに暗電流を抑制できる基板を高い歩留りで提供可能とするSドープInP基板、及び、該基板を用いたエピタキシャルウエハを提供しようとするものである。【解決手段】 LEC法で製造した長波長受光素子用のSドープInP基板において、前記基板のキャリア濃度が5×1018cm-3以上で、固化率X/Lが0.3以上のものを用いるか、VCZ法で製造した長波長受光素子用のSドープInP基板において、前記基板のキャリア濃度が3.5×1018cm-3以上で、固化率X/Lが0.4以上のものを用いた長波長受光素子用基板、及び、該基板を用いた長波長受光素子用エピタキシャルウエハである。

請求項（抜粋）：

LEC法で製造した長波長受光素子用のSドープInP基板において、前記基板のキャリア濃度が5×1018cm-3以上で、固化率X/Lが0.3以上のものを用いたことを特徴とする長波長受光素子用基板。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  C30B 29/40 501 ,  C30B 29/40 502

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  C30B 29/40 501 A ,  C30B 29/40 502 H

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭60-260500
  
• 特開平4-074799
  
• 半導体受光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-327334   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭60-260500
  
• 特開平4-074799