特許
J-GLOBAL ID：200903075728038654
液晶デバイスの製造法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 義雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-199441
公開番号（公開出願番号）：特開平5-203930
出願日： 1992年07月27日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【構成】 少くとも一方が透明な2枚の基板の間に液晶層を有する液晶デバイスの製造法及び液晶デバイスであって、官能基とシアノアルキル基を有する化合物と液晶材料の混合物を基板間に介在させ放射線により固化し液晶層を形成することを特徴とする。【効果】 液晶層の誘電率が高いため、液晶デバイスは低電圧で駆動可能であり、かつ液晶層が放射線で固化可能なため溶剤が不要であり製造時間が短縮され、生産性が向上する。
請求項（抜粋）：
少くとも一方が透明な2枚の基板の間に液晶層を有する液晶デバイスの製造法において、少くとも1個以上の放射線硬化能を有する官能基及び少くとも1個以上のシアノアルキル基を有する化合物と液晶材料の混合物を基板間に介在させ、放射線照射により、該化合物を固化せしめることを特徴とする液晶デバイスの製造法。
IPC (3件)：
G02F 1/1333
, C08F 20/36 MMG
, C09K 19/02
