特許
J-GLOBAL ID：200903075729204949
位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク用ブランク
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-275479
公開番号（公開出願番号）：特開平5-113655
出願日： 1991年10月23日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】位相シフタ層パターンの厚さのバラつきを低減し位相シフト効果を最大限に生かすことができ、かつ重ね合わせ描画が良好な位相シフトマスクの製造方法と位相シフトマスク用ブランクを提供する【構成】エッチングストッパ層、位相シフタ層、遮光層を基板上に順次成膜したブランクを用いて、遮光層パターンを形成し、導電層、レジストを順次成膜する工程、レジストを描画して位相シフタ層用のレジストパターンを形成し、位相シフタ層をエッチングする工程により位相シフトマスクを製造する。
請求項（抜粋）：
位相シフトマスクの製造方法において、(a)エッチングストッパ層、位相シフタ層、遮光層を基板上に順次成膜する工程、(b)遮光層パターンを形成し、導電層、レジストを順次成膜する工程、(c)レジストを描画して位相シフタ層用のレジストパターンを形成し、位相シフタ層をエッチングする工程、を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
