半導体装置の微細パターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-168435
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082635
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】新規な半導体装置の微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】被露光物の露光領域を限定するためのマスク上の主パターンに限界解像度以下のダミーラインまたはダミースペースよりなるダミーパターンを加える。これにより解像度を向上させ、所望の大きさの微細パターンを形成することができる。

請求項（抜粋）：

光学的方法で微細パターンを形成する半導体装置の製造方法において、被露光物の露光領域を限定するためのマスク上の主パターンに限界解像度以下のダミーパターンを形成させることにより解像度を向上させることを特徴とする半導体装置の微細パターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 502 , G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 502 P , G03F 7/20 502 , G03F 7/20 521

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