特許

J-GLOBAL ID：200903075730897168

薄膜形成方法

発明者： 福永 明 ,  長澤 浩
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350324
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168060
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 従来の成膜方法に替わって、基材の表面に品質の良い薄膜を安定的に形成して、例えば基板表面に設けた配線用の微細な凹部等に導体を確実に埋込むことができるようにした薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 フィルム14の片面に薄膜前駆体16を積層して転写シート18を形成する工程と、該転写シート18を基材12の表面に転写する工程と、転写シート18をフィルム14ごと熱分解することにより基材12の表面に薄膜前駆体16による薄膜32を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

フィルムの片面に薄膜前駆体を積層して転写シートを形成する工程と、該転写シートを基材表面に転写する工程と、前記転写シートをフィルムごと熱分解することにより前記基材表面に前記薄膜前駆体による薄膜を形成する工程とを有することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/283 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/283 Z ,  H01L 21/316 B

Fターム (19件)：

4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104DD51 ,  5F058BA20 ,  5F058BF47 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ06