特許

J-GLOBAL ID：200903075738839752

光集積回路及びその製造方法

発明者： 佐野 博久 ,  井上 宏明 ,  魚見 和久 ,  青木 雅博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-220372
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063179
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 低チャーピングな光源として光変調器を内部に組み込んだ光集積回路及びその簡易な製造方法を実現する。【構成】 レーザー部13と光変調器部14は共通の活性層1(光吸収層)を持つ。通常、光変調器は光吸収層での無バイアス時の吸収係数が小さくなる波長域で動作させるが、本発明では光吸収層1’の厚みを薄くすることにより高吸収係数で動作させることを可能とすると共に、レーザー部13の発振波長を活性層の利得ピークよりも長波長側にずらすことにより、共通活性層1(光吸収層)での構成を可能とした。【効果】 高速光伝送に適した高性能な光源を簡単なプロセスで作成することが可能となる。特に、通常問題となる異種光素子間の光学的な結合を高くし、光集積回路の高性能化及び作成プロセスの簡単化に大きな効果をもつ。

請求項（抜粋）：

所定の波長の光を出射する半導体レーザーと、上記レーザーからの出射光を半導体での電界効果を用いて変調する光変調器部を同一基板上に集積化した光集積回路において、上記レーザーの活性層と上記光変調器部での光吸収層の一部もしくは全層が同一組成の半導体層で構成されたことを特徴とする光集積回路。

IPC (2件)：

H01L 27/15 ,  H01S 3/18