特許
J-GLOBAL ID:200903075746533468

高純度シリカの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 曾我 道照 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-235374
公開番号(公開出願番号):特開平7-242411
出願日: 1985年07月11日
公開日(公表日): 1995年09月19日
要約:
【要約】【目的】 本発明の目的は、シリカ中の不純物金属元素がいずれも1ppm以下であり、且つ放射性不純物が1ppb以下の極めて高純度のシリカを珪酸アルカリ水溶液から再現性良く製造する方法を提供することにある。【構成】 本発明は、珪酸ナトリウム水溶液と鉱酸との反応によりシリカを生成させる方法において、キレート剤及び過酸化水素が存在する酸濃度1規定以上の酸性領域中でシリカの沈澱を生成させ、次いで分離回収したシリカをキレート剤及び過酸化水素を含有する鉱酸にて洗浄処理することを特徴とするAl、B、Ba、Ca、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Na、Ni、Pb、Sr、Ti、Zn及びZr不純物含有量がいずれも1ppm以下であり、且つU及びTh不純物含有量がいずれも1ppb以下である高純度シリカの製造方法にある。
請求項(抜粋):
珪酸ナトリウム水溶液と鉱酸との反応によりシリカを生成させる方法において、キレート剤及び過酸化水素が存在する酸濃度1規定以上の酸性領域中でシリカの沈澱を生成させ、次いで分離回収したシリカをキレート剤及び過酸化水素を含有する鉱酸にて洗浄処理することを特徴とするAl、B、Ba、Ca、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Na、Ni、Pb、Sr、Ti、Zn及びZr不純物含有量がいずれも1ppm以下であり、且つU及びTh不純物含有量がいずれも1ppb以下である高純度シリカの製造方法。
IPC (3件):
C01B 33/193 ,  C03B 20/00 ,  H01L 23/10

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