特許
J-GLOBAL ID：200903075746868133
トレンチゲート電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 元彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-513715
公開番号（公開出願番号）：特表2008-546189
出願日： 2006年05月24日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
電界効果トランジスタは、第2導電型の半導体領域上に第1導電型のボディ領域を包含している。ゲートトレンチは、ボディ領域を経て伸長し、半導体領域において終端する。少なくとも1つの導電性シールド電極が、ゲートトレンチに配置される。ゲート電極が、導電性シールド電極上に配置されるが、少なくとも1つの導電性シールド電極から絶縁されている。シールド誘電体層が少なくとも1つの導電性シールド電極を半導体領域から絶縁する。ゲート誘電体層が、ゲート電極をボディ領域から絶縁する。シールド誘電体層は、該シールド誘電体層がボディ領域に直接広がり伸びるように形成される。
請求項（抜粋）：
電界効果トランジスタであって、
第2導電型の半導体領域上の第1導電型のボディ領域と、
前記ボディ領域を経て伸び、前記半導体領域において終端するゲートトレンチと、
前記ゲートトレンチ内に配置された少なくとも1つの導電性シールド電極と、
少なくとも1つの前記導電性シールド電極上に配置されるが、前記導電性シールドから絶縁されているゲート電極と、
少なくとも1つの前記導電性シールド電極を前記半導体領域から絶縁するシールド誘導体層と、
前記ゲート電極を前記ボディ領域から絶縁するゲート誘電体層と、を含み、
前記シールド誘電体層は前記ボディ領域の下へ直接広がり且つ伸びていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/78 652K
, H01L29/78 653C
, H01L29/78 658B
