プラズマCVD装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-355495
公開番号（公開出願番号）：特開2001-172768
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月26日
要約：

【要約】【課題】プラズマCVD装置において、NF3 ガスクリーニングレートの高速化を図る事により、高いスループットを有するプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】クリーニングガスの供給ノズル23を排気口24と対向する反応室1の上部に設ける事により、壁面堆積膜のクリーニングにより発生するSiF4 などの反応生成物を速やかに排気し、活性なFラジカル等を上チャンバ2壁面近傍に供給し、高クリーニングレートによるクリーニング時間の短縮で、高スループットのプラズマCVD装置を実現できると言う効果がある。

請求項（抜粋）：

反応室内に複数のマイクロ波導入窓からマイクロ波を導入すると共に、基板電極に高周波を印加して基板電極に載置したウエハなどに薄膜を成膜する成膜機能と、成膜により反応室内の壁面に堆積した反応副生成物を反応室壁面に高周波を印加して除去するプラズマクリーニング機能を備えたプラズマCVD装置において、クリーニングガスの供給を排気口と対向する反応室上部から行うためのガス供給ラインを設けた事を特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/511 , C23C 16/44 , H01L 21/31

FI (3件)：

C23C 16/511 , C23C 16/44 J , H01L 21/31 C

Fターム (24件)：

4K030AA06 , 4K030BA44 , 4K030DA03 , 4K030FA01 , 4K030FA02 , 4K030KA30 , 5F045AA10 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045BB08 , 5F045BB14 , 5F045DP04 , 5F045EB02 , 5F045EB06 , 5F045EG03 , 5F045EH17 , 5F045EM05 , 5F045HA13 , 5F045HA22

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