特許
J-GLOBAL ID：200903075751521990
光半導体素子とその製造方法,及び光半導体モジュールとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-180591
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027944
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】 活性領域との相対的な位置ずれが少ないアライメントマーカを備えた光半導体素子,及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体レーザ1のコンタクト層15の、上記リッジ構造17に対して所定の間隔を隔てた位置に、所定の平面形状を有するアライメントマーカ30を設けた。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に配置された下クラッド層,活性層,上クラッド層からなり、その少なくとも上部にリッジ形状に成形されてなるリッジ構造を備えた半導体積層構造と、上記リッジ構造を埋め込むように配置された電流ブロック層と、上記リッジ構造上,及び電流ブロック層上に配置された、その表面の上記リッジ構造に対して所定の間隔を隔てた位置に所定の平面形状を有する隆起部またはくぼみ部からなるアライメントマーカを備えたコンタクト層と、該コンタクト層上の上記リッジ構造の上部に配置された表面電極と、上記基板の裏面側に配置された裏面電極とを備えたことを特徴とする光半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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